内存芯片编号全集

内存芯片编号全集　

朋友们在选购计算机的时候，CPU、硬盘、主板什么的，都是十分容易的就选定了，唯有内存是最麻烦的！

　　为什么呢？因为内存的生产厂商多、品质差异大，而且内存芯片的编号各个厂家又不统一，所以很难直观的就判断所要购买的内存的速度、性能等等指标。

　　有些朋友就可能认为，内存也不主要，每条都差不多，只要容量够大，随随便便买一条吧！

　　结果你的爱机就会经常性的休克、抽搐（医学上好像叫：间歇性精神病！8－）），到了那个时候你后悔也来不及了。

　　为此，特意为大家整理了目前市场上常见的内存的编号、及其编码的意义，相信你看了以后，就不会为内存而一头雾水了！ Re:内存芯片编号全集　

HYUNDAI（现代）
现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：
其中HY代表现代的产品：
??5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
??<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
??<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
??<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
??<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；
??<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
??<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
??<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
??<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。 Re:内存芯片编号全集　

?以上的内存编号只是属于旧编号，下面是现代最新编号的规则，不过大体上还是相同，这里就不再重复了。
?最新SDRAM编号
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX

HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC ： 400mil SOJ
TC ： 400mil TSOP-Ⅱ
TD ： 13mm TSOP-Ⅱ
TG ： 16mm TSOP-Ⅱ

最后几位为速度：
7： 7ns （143MHz）
8： 8ns （125MHz）
10p： 10ns （PC-100 CL2 &3）
10s： 10ns （PC-100CL 3）
10 ： 10ns （100MHz）
12 ： 12ns （83MHz）
15 ： 15ns （66MHz）
注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh　cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100 Re:内存芯片编号全集　

最新DDRRAM编号
　HY　　XX　　X　　XX　　XX　　XX　　X　　X　　X　　X　　X　 - 　XX　

　1 　2 　3 　4 　5 　6 　7 　8 　9 　10 　11 - 　12

1:不用我说你也看出来了当然是代表HY生产的颗粒喽

2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS

3：工艺与工作电压：　
　　　　　　　　　　　V ：CMOS，3.3V
　　　　　　　　　　　U : CMOS, 2.5V

4：芯片容量和刷新速率：
　　　　　　　　　　　　　64 :64m, 4kref
　　　　　　　　　　　　　66 :64m, 2kref
　　　　　　　　　　　　　28 :128m,4kref
　　　　　　　　　　　　　56 :256m,8kref
　　　　　　　　　　　　　12 :512m,8kref

5: 芯片结构（数据宽度）：　
　　　　　　　　　　　　　　4：X4（数据宽度4bit 下同)
　　　　　　　　　　　　　　8 :x8
　　　　　　　　　　　　　　16 :x16
　　　　　　　　　　　　　　32 :x32

6：BANK数量：
　　　　　　　　　　　　　1 :2BANKS
　　　　　　　　　　　　　2 :4BANKS

7：I/O界面：
　　　　　　　　　　　　　1 :SSTL_3
　　　　　　　　　　　　　2 :SSTL_2

8：芯片内核版本：
　　　　　　　　　　　空白:第一代
　　　　　　　　　　　　A :第二代
　　　　　　　　　　　　B :第三代
　　　　　　　　　　　　C :第四代

9：能量等级：
　　　　　　　　　　　　空白 :普通
　　　　　　　　　　　　L :低能耗

10：封装形式：
　　　　　　　　　　　　T :TSOP
　　　　　　　　　　　　Q :TQFP
　　　　　　　　　　　　L :CSP(LF-CSP)
　　　　　　　　　　　　F :FBGA

11：工作速度：
　　　　　　　　　　　　33 :300NHZ
　　　　　　　　　　　　4 :250MHZ
　　　　　　　　　　　　43 :233MHZ
　　　　　　　　　　　　45 :222MHZ
　　　　　　　　　　　　5 :200MHZ
　　　　　　　　　　　　55 :183MHZ
　　　　　　　　　　　　K

DR266A
　　　　　　　　　　　　H

DR266B
　　　　　　　　　　　　L

DR200
(2)
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1、HY代表是现代的产品

　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref； Re:内存芯片编号全集　

最新SDRAM编号图： Re:内存芯片编号全集　

最新DDRRAM编号图：

Re:内存芯片编号全集　

LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

GM72V XX XX X 1 X X T XX

GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：

7.5：7.5ns （133MHz）
8： 8ns （125MHz）
7K：10ns （PC-100 CL 2&3）
7J：10ns （100MHz）
10K：10ns （100MHz）
12： 12ns （83MHz）
15： 15ns （66MHz）

注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。

Re:内存芯片编号全集　

拷……好详细啊，
比我知道的多

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作者: 与螂共舞 时间: 2003-5-31 19:25